காலியம்(I) ஆக்சைடு

காலியம்(I) ஆக்சைடு
Gallium(I) oxide
பெயர்கள்
	வேறு பெயர்கள் இரு காலியம் ஓராக்சைடு; காலியம் கீழாக்சைடு
இனங்காட்டிகள்
சிஏஎசு எண்	12024-20-3
ChemSpider	34990294
	InChI InChI=1S/2Ga.O; Key: KXACIVYKDCQNQA-UHFFFAOYSA-N;
யேமல் -3D படிமங்கள்	Image
பப்கெம்	16702109
	SMILES O([Ga])[Ga];
UNII	EJS6TG9SIN
பண்புகள்
மூலக்கூறு வாய்பாடு	Ga2O
வாய்ப்பாட்டு எடை	155.445 கி/மோல்
தோற்றம்	பழுப்பு நிறத் தூள்
அடர்த்தி	4.77 கி/செ.மீ3
உருகுநிலை	>800 °செ (சிதையும்)
காந்த ஏற்புத்திறன் (χ)	-34·10−6 செ.மீ3/மோல்
வெப்பவேதியியல்
Std enthalpy of; formation ΔfHo298	−356.2 கி.யூல்/மோல்
தீங்குகள்
ஈயூ வகைப்பாடு	not listed
தொடர்புடைய சேர்மங்கள்
ஏனைய நேர் மின்அயனிகள்	போரான் ஓராக்சைடு; அலுமினியம்(I) ஆக்சைடு; இண்டியம்(I) ஓராக்சைடு; தாலியம்(I) ஆக்சைடு
	மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும்; பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். வார்ப்புரு மேற்கோள்கள்

காலியம்(I) ஆக்சைடு (Gallium(I) oxide) Ga₂O என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிமச் சேர்மமாகும். இரு காலியம் ஓராக்சைடு, டைகாலியம் மோனாக்சைடு, காலியம் கீழாக்சைடு என்ற பெயர்களாலும் இச்சேர்மம் அழைக்கப்படுகிறது.

தயாரிப்பு[தொகு]

வெற்றிடத்தில் சூடாக்கப்பட்ட காலியத்தை காலியம்(III) ஆக்சைடுடன் சேர்த்து வினைபுரியச் செய்வதால் காலியம்(I) ஆக்சைடு உருவாகிறது.^[4]

\mathrm {Ga_{2}O_{3}+4\ Ga\longrightarrow 3\ Ga_{2}O}

காலியத்தை கார்பனீராக்சைடுடன் சேர்த்து வெற்றிடத்தில் 850 பாகை செல்சியசு வெப்பநிலைக்கு சூடுபடுத்தினாலும் காலியம்(I) ஆக்சைடு உருவாகிறது.^[5]

\mathrm {2\ Ga+CO_{2}\longrightarrow Ga_{2}O+CO}

காலியம் ஆர்சனைடு சீவல்கள் தயாரிக்கையில் ஓர் உடன் விளைபொருளாகவும் காலியம்(I) ஆக்சைடு உருவாகிறது. :^[6]^[7]

\mathrm {4\ Ga+SiO_{2}\longrightarrow 2\ Ga_{2}O+Si}

பண்புகள்[தொகு]

காலியம்(I) ஆக்சைடு பழுப்பும் கருப்பும் கலந்த நிறத்தினாலான எதிர்காந்த பண்பு கொண்ட ஒரு திடப்பொருளாகும். வறண்ட காற்றில் மேலும் ஆக்சிசனேற்றம் நிகழாமல் இச்சேர்மம் தடுக்கும். 500 ° செல்சியசு வெப்பநிலைக்கும் அதிகமான வெப்பநிலைக்கு சூடுபடுத்தப்பட்டால் காலியம்(I) ஆக்சைடு சிதைவடையத் தொடங்குகிறது. இச்சிதைவு விகிதம் வெற்றிடம், மந்த வாயு, காற்று போன்ற வளிமண்டலச் சூழல்களைப் பொறுத்து அமைகிறது.^[4]

மேற்கோள்கள்[தொகு]

↑ ^1.0 ^1.1 ^1.2 ^1.3 Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.64. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 1439855110.
↑ Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.133. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 1439855110.
↑ Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 5.12. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 1439855110.
↑ ^4.0 ^4.1 Brauer, Georg (1975). Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. Vol. 3. p. 857. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 3-432-02328-6.
↑ Emeléus, H. J. and Sharpe, A. G. (1963). Advances in Inorganic Chemistry and Radiochemistry. Vol. 5. Academic Press. p. 94. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 008057854-3.{{cite book}}: CS1 maint: multiple names: authors list (link)
↑ Siffert, Paul and Krimmel, Eberhard (2004). Silicon: Evolution and Future of a Technology. Springer. p. 439. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 354040546-1.{{cite book}}: CS1 maint: multiple names: authors list (link)
↑ Chou, L. -J (2007). Nanoscale One-dimensional Electronic and Photonic Devices (NODEPD). The Electrochemical Society. p. 47. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 978-156677574-8.

[b92-1] 1.0 ^1.1 ^1.2 ^1.3 Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.64. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 1439855110.

[2] Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.133. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 1439855110.

[b92t-3] Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 5.12. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 1439855110.

[brauer-4] 4.0 ^4.1 Brauer, Georg (1975). Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. Vol. 3. p. 857. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 3-432-02328-6.

[Sharp-5] Emeléus, H. J. and Sharpe, A. G. (1963). Advances in Inorganic Chemistry and Radiochemistry. Vol. 5. Academic Press. p. 94. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 008057854-3.{{cite book}}: CS1 maint: multiple names: authors list (link)

[6] Siffert, Paul and Krimmel, Eberhard (2004). Silicon: Evolution and Future of a Technology. Springer. p. 439. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 354040546-1.{{cite book}}: CS1 maint: multiple names: authors list (link)

[7] Chou, L. -J (2007). Nanoscale One-dimensional Electronic and Photonic Devices (NODEPD). The Electrochemical Society. p. 47. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 978-156677574-8.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]